深圳市時代速信取得半導體器件及半導體設備專利，使半導體器件具有平滑的跨導

金融界2024年12月2日消息，國家知識產權局信息顯示，深圳市時代速信科技有限公司取得一項名爲“一種半導體器件及半導體設備”的專利，授權公告號CN 222071950 U，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，本實用新型公開了一種半導體器件及半導體設備，應用於半導體器件技術領域，包括：襯底；位於襯底表面，沿厚度方向堆疊設置的至少兩層外延結構；任一外延結構形成有獨立的溝道；相鄰外延結構沿從朝向襯底一側至背向襯底一側的尺寸依次減少，以在外延結構背向襯底一側表面形成臺階面；位於臺階面的電極結構；任一臺階面均設置有電極結構，電極結構與連接的外延結構形成半導體功能結構；相鄰半導體功能結構中溝道的濃度不同，使半導體器件具有平滑的跨導。通過在不同平面設置不同濃度的溝道可以具有平滑的跨導，而形成不同平面的溝道更易於器件三維空間的散熱；且可以更好地根據需求調節外延結構，應用領域更廣。

本文源自：金融界

作者：情報員