中芯國際取得半導體結構及半導體結構形成方法專利

金融界2024年11月25日消息，國家知識產權局信息顯示，中芯國際集成電路製造(上海)有限公司、中芯國際集成電路製造(北京)有限公司取得一項名爲“半導體結構及半導體結構的形成方法”的專利，授權公告號 CN 113497149 B，申請日期爲2020年4月。

本文源自：金融界

作者：情報員