比亞迪半導體申請半導體器件及其製備方法專利，可以提高關斷速度、降低關斷損耗

金融界2024年6月28日消息，天眼查知識產權信息顯示，比亞迪半導體股份有限公司申請一項名爲“半導體器件及其製備方法“，公開號CN202211687045.1，申請日期爲2022年12月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種半導體器件及其製備方法，半導體器件包括元胞區和終端區，終端區環繞元胞區；漂移區，所述漂移區分佈於元胞區和終端區；漂移區的背面設置有集電區，集電區包括多個從元胞區到終端區排布的集電子區，多個集電子區的摻雜濃度不同，並且越靠近終端區的集電子區的摻雜濃度越低。本發明的半導體器件和製備方法，可以提高關斷速度、降低關斷損耗，減小終端主結處空穴電流的局部積聚，避免器件燒燬。

本文源自：金融界

作者：情報員