隆基綠能申請半導體結構、太陽能電池及其製造方法、光伏組件專利，提高太陽能電池的工作性能

金融界2024年6月28日消息，天眼查知識產權信息顯示，隆基綠能科技股份有限公司申請一項名爲“一種半導體結構、太陽能電池及其製造方法、光伏組件“，公開號CN202410684958.0，申請日期爲2024年5月。

專利摘要顯示，本發明公開一種半導體結構、太陽能電池及其製造方法、光伏組件，涉及光伏技術領域，通過調整N、P型摻雜多晶硅層的消光係數k分別得到緻密性不同的N、P型摻雜多晶硅層，間接調整電極漿料對N、P型摻雜多晶硅層蝕刻深度，使得電極最終停留在N、P型摻雜多晶硅層中的深度適中，提高太陽能電池的工作性能。太陽能電池包括半導體基底、P型摻雜多晶硅層和N型摻雜多晶硅層。半導體基底包括第一區域和第二區域。P型摻雜多晶硅層至少形成在第一區域上。N型摻雜多晶硅層至少形成在第二區域上。N型摻雜多晶硅層的至少部分區域和P型摻雜多晶硅層的至少部分區域相互間隔設置。N型摻雜多晶硅層的消光係數k大於P型摻雜多晶硅層的消光係數k。

本文源自：金融界

作者：情報員