拓荊創益半導體申請晶圓支撐機構以及晶圓處理腔室專利，實現晶圓處理的高效運行

金融界2024年12月2日消息，國家知識產權局信息顯示，拓荊創益（瀋陽）半導體設備有限公司申請一項名爲“晶圓支撐機構以及晶圓處理腔室”的專利，公開號 CN 119050043 A，申請日期爲 2024 年 8 月。

專利摘要顯示，本發明公開了晶圓支撐機構以及晶圓處理腔室。晶圓支撐機構包括：加熱盤、邊緣環、第一組升降銷、第二組升降銷以及升降銷支板；所述邊緣環設置在所述加熱盤的邊緣外側；第一組升降銷周向設置在所述邊緣環的底部，用於調節所述邊緣環的高度，使得邊緣環相對於所述加熱盤獨立上下移動；第二組升降銷周向設置在所述加熱盤的底部，所述升降銷支板位於所述加熱盤的下方，所述第二組升降銷在所述升降銷支板的帶動下升降運動，用於承接晶圓的上下運動；第二組升降銷與第一組升降銷交錯排布。

本文源自：金融界

作者：情報員