天合光能申請二吡啶並吩嗪類化合物相關專利，提高器件的光電轉換性能

金融界 2024 年 11 月 26 日消息，國家知識產權局信息顯示，天合光能股份有限公司申請一項名爲“二吡啶並吩嗪類化合物、光電器件及其製備方法、應用”的專利，公開號 CN 119019426 A，申請日期爲 2024 年 8 月 。

專利摘要顯示，本申請涉及一種二吡啶並吩嗪類化合物、光電器件及其製備方法、應用。上述二吡啶並吩嗪類化合物具有如下結構通式：各L獨立地爲取代或未取代的C4～C20的含氮雜環基，或取代或未取代的C4～C20的含氮雜芳基。上述二吡啶並吩嗪類化合物應用在電子傳輸層中，有利於提高電荷提取能力和載流子遷移率，進而提高器件的光電轉換性能。

本文源自：金融界

作者：情報員