臺積電2奈米傳良率提高6％　幫客戶節省數十億美元

▲臺積電。（圖／記者高兆麟攝）

記者高兆麟／綜合報導

臺積電（2330）預計將於明年下半年開始使用其N2製程，根據外媒tomshardware報導，臺積電團隊已成功將測試晶片的良率提高了6%，爲公司客戶創造了數十億美元的節省。

根據臺積電員工向外媒說法，他並未透露該臺積電是否提高了SRAM測試晶片或邏輯測試晶片的良率。但提高SRAM和邏輯測試晶片的良率確實非常重要，因爲最終，它可以爲客戶節省大量成本，從而從更高的良率中受益。

在相同的電晶體數量和頻率下，使用N2製造技術製造的晶片預計比使用N3E製造的晶片消耗25%至30%的功耗，在相同的電晶體數量和功率下提供10%至15%的性能改進，並且與 N3E製造的半導體相比，電晶體密度增加了15%，同時保持相同的速度和功率。

臺積電預計將於2025年下半年開始採用N2製造製程大規模生產晶片。