SK海力士 下單臺積3奈米

據傳SK海力士的第六代高頻寬記憶體「HBM4」，將改採3奈米制程，並使用臺積電技術。 （路透）

南韓媒體3日引述消息人士報導，人工智慧（AI）記憶體晶片大廠SK海力士（SK Hynix）的第六代高頻寬記憶體「HBM4」晶片，將改採3奈米制程，並使用臺積電（2330）技術，預定明年下半年供貨給輝達（Nvidia）。此外，輝達執行長黃仁勳3日造訪泰國時，與泰國政府同意加強AI合作。

韓國經濟日報報導，SK海力士原本打算以5奈米制程生產客製化的HBM4，但主要客戶要求供應更先進的記憶體，SK海力士因而改用3奈米制程，預計2025年下半給出貨給輝達。目前輝達的繪圖處理器（GPU）產品是以4奈米HBM晶片爲基礎。

報導指出，SK海力士據傳在3月發佈的HBM4晶片原型，是在3奈米基礎裸晶（base die）上垂直堆疊。相較於5奈米裸晶，堆疊在3奈米基礎裸晶上的HBM，效能料可提高20%~30%。但SK海力士的一般型HBM4和HBM4E，將與臺積攜手採用12奈米制程。

SK海力士生產的第五代HBM「HBM3E」爲使用自家基礎裸晶，HBM4則決定採用臺積電技術。該公司的HBM4採3奈米基礎裸晶，將進一步拉大領先三星電子的差距，三星計劃用4奈米制程生產HBM4。

SK海力士已掌握全球約半數HBM市場，多數HBM均銷往輝達。SK集團會長崔泰源11月表示，黃仁勳要求他提前六個月供應12層HBM4，SK海力士原定2026年初供貨。

另一方面，泰國總理貝東塔在與黃仁勳會面後，總理辦公室發表聲明表示，輝達將幫助泰國發展AI基礎設施並分享技術專業，雙方也將在AI教育與技能發展攜手合作。