三星霸氣宣示晶片計劃：3年內量產2奈米 5年內超越臺積電

韓國半導體巨頭三星電子揚言將在3年內量產2奈米先進製程晶片，同時在5年內超越臺積電。（圖／路透）

韓國三星電子在當地時間19日於德國慕尼黑舉辦「三星代工論壇2023」，霸氣十足地公佈了晶片製造的先進工藝路線圖和代工戰略，揚言將在3年內量產2奈米先進製程晶片，同時在5年超越臺積電。

據《快科技》報導，在這次論壇上，三星電子也展示了從最先進的2奈米工藝到8英寸傳統工藝一系列汽車行業定製解決方案。

三星代工事業部總裁崔時榮（Siyoung Choi）表示：「目前我們正在加大投入準備工作，爲客戶提供功率半導體、微電腦、先進的自動駕駛人工智慧晶片等多種解決方案。」

臺積電宣佈可望在2025年量產2nm工藝晶片後，三星也宣示將在3年內完成2nm量產、5年內超越臺積電。（圖／Shutterstock)

三星強調，該公司將在2026年完成車用2nm晶片的量產；同時還透露了其開發業界首款5nm eMRAM下一代儲存半導體計劃。

報導說，自2019年成爲業內首家量產基於28nm工藝eMRAM的公司以來，三星計劃2024年量產14nm車用eMRAM，然後在2026年和2027年量產8nm和5nm車用eMRAM。

三星官方指出，8nm eMRAM與14nm相比，預計集成度將提高30%，速度提高33%。此外三星還計劃到2025年將目前的130mm車用BCD工藝提升至90nm，與130nm相比，90nm的BCD工藝將使晶片面積減少20%。

根據此前DigiTimes的報導，三星半導體和設備解決方案（DS）部門負責人慶桂顯（Kye Hyun Kyung）博士曾公開表示，要在未來5年內超越臺積電和其它行業巨頭。

據瞭解，臺積電總裁魏哲家在近日法人說明會上披露，臺積電可望在2025年量產2nm工藝晶片。