美晶片法新措施 嚴控臺韓大廠在中國擴產

美商務部21日公告，基於美國的技術和國家安全，發表晶片法案中「安全護欄」相關措施，限制獲取補貼的企業與中國、俄羅斯、伊朗、北韓等受關注國家的投資等事項。美商務部長雷蒙多表示，該法案基於美國國安，這些護欄有助於美國與盟友未來數十年維持對中國等對手的優勢。

據相關規定，領取補助的企業在10年內，在中國等地擴產被嚴格限制，若擴產較先進晶片產量，擴產規模將不得超過5％，且設定10萬美元資本支出上限管制。若擴產現有傳統晶片（legacy chips）項目，擴產程度不得超過10％，且要擴產需要由東道國吸收85％以上產量，並要通知美商務部。

值得注意的是，美國明確規定技術節點，上述傳統晶片分水嶺爲28奈米邏輯晶片、18奈米DRAM、128層NAND半導體等，限制的技術水平反映美國持續加大對中國管控。美商務部表示，該措施延續去年10月對中國晶片禁令，且規範更爲完善嚴格，並會在往後8年，每兩年動態調整一次傳統晶片範圍。

市場關注包括臺積電、三星電子等大廠未來在中國的營運會否受衝擊。韓國工業部22日表示，仍會在60天公示期與美國討論，認爲韓企至少能部分擴大在中國設施以及技術更新。

新措施還公告，擴大管制量子運算、輻射密集環境和其他專業軍事用途成熟製程晶片，預料將對中國AI等發展帶來衝擊。法規還嚴格限制，獲補貼企業不得與美國各項制裁清單上中企有相關合作，違反擴產或技術合作規定的企業，將會被收回補助金。