慘輸臺積電！三星3奈米爆1致命要害 找美大廠救命

三星聯手美企，拚3奈米良率超車臺積電。（示意圖/達志影像/shutterstock）

近幾年，三星在先進製程技術一直落後臺積電，因爲良率陷入瓶頸而無法有所突破。韓媒Naver報導，三星已與美國公司 Silicon Frontline Technology 擴大合作，提高半導體晶片在製造過程中的良率，希望一舉超車勁敵臺積電。

報導指出，三星先進製程良率低迷，5奈米、4奈米節點的良率問題遲遲無法改善，而3奈米推出以來情況變得更糟，據傳三星3奈米良率不超過 20%，量產進度再度踢鐵板，因此爭取主流晶片廠商訂單，尚未取得重大進展。

三星代工晶片頻傳過熱問題，高通旗艦晶片「Snapdragon 8 Gen 1」和「Snapdragon 888」表現翻車，所以高通決定跟三星說掰掰，新款 「Snapdragon 8 Gen 2」晶片改由臺積電獨家生產，輝達 RTX 4000 系列 GPU 也採用臺積電 5 奈米制程量產。三星失去美國大廠訂單，正在努力尋求解決這些問題的方案。

美國公司Silicon Frontline在半導體設計和驗證解決方面，擁有專業經驗，能提供晶片資格評估和靜電放電（ESD）預防技術。ESD是導致半導體晶片缺陷主要原因之一，由製造過程中設備與金屬之間的摩擦引起。

報導提到，三星在晶片設計和生產過程中與Silicon Frontline長期合作，並取得了令人滿意的結果。

如果三星設法提高未來晶片製造工藝的性能奏效，結合其3奈米GAA架構，三星在高階晶片代工可望與臺積電再次競逐，並搶下超微、輝達和高通等大客戶訂單。高通已提到，雙代工廠採購爲戰略之一，意味着可能會與三星重新合作。

BBC先前報導，臺灣南臺科技大學朱嶽中助理教授表示，這些年，三星在先進製程技術企圖彎道超車臺積電，拚博誰的製程比較快，其實意義不大，雙方技術競逐最大關鍵只有「良率」，因爲良率等同廠商的成本，與產品的效能有關，這是產品能不能銷售出去的重點。