報道稱受美國製裁影響 華爲AI芯片計劃比NVIDIA已落後三代

據彭博社援引消息人士稱，由於美國的制裁，中國科技巨頭華爲在製造能夠支持人工智能工作負載並達到 NVIDIA 舊產品性能的先進芯片方面舉步維艱。特朗普和拜登政府實施的美國製裁阻止了臺灣台積電向中國出售其最先進的芯片，並限制了中國芯片製造商從荷蘭 ASML 公司採購最新芯片製造機器的能力。

由於這些機器對於製造新芯片不可或缺，華爲開發能夠支持 AI 工作負載的新芯片的計劃僅限於 7 納米節點，並且在未來兩年內將繼續如此。

NVIDIA 的最新 AI 芯片 H100 系列依靠臺積電的 N4 工藝技術系列進行製造。 N4 即 4 納米工藝，是臺積電 5 納米工藝的先進變體，比臺積電 7 納米技術領先一代以上。然而，據彭博社報道，拜登政府對中國中芯國際實施制裁，阻止其採購 ASML 最新的極紫外 (EUV) 芯片製造機器，限制了中芯國際從 7 納米工藝轉向更先進的技術。

由於 ASML 是全球唯一一家提供這些機器的公司，中芯國際的選擇僅限於使用依賴深紫外 (DUV) 光刻的舊掃描儀。因此，據匿名消息人士透露，這家中國公司不得不求助於多重曝光來嘗試生產 7 納米芯片。

在半導體制造中，多重曝光將掩模（具有電路設計的設備）分成幾部分，一次在硅片上“打印”一個部分，並實現較小特徵尺寸所需的清晰分辨率。因此，該工藝增加了半導體制造的複雜性，延長了生產時間並帶來了質量問題。

用於製造芯片的下一代極紫外光刻 (EUV) 機器將使用更大的鏡頭光圈，將更多光線聚焦在用於印刷半導體的晶圓上。這帶來了一系列獨特的問題，因爲更高的放大倍數會導致印刷“一半”的圖案。圖片：ASML

根據今天的報道，中國領先的芯片製造商中芯國際也受到這些問題的影響。問題的出現是因爲美國的制裁使其無法從 ASML 採購先進的 EUV 機器，而隨之而來的轉向 DUV 機器使得製造最新芯片變得困難。中芯國際不僅依靠多重曝光來克服限制，而且政府使用本地設備的壓力也使其難以跟上西方的舊芯片製造技術。

因此，由於與臺積電最新的芯片工藝系列隔絕，華爲被迫依賴中芯國際的產品並圍繞較舊的 7 納米工藝設計芯片。然而，由於臺積電計劃明年生產 2 納米芯片，而中芯國際在多重曝光和國產芯片製造設備方面舉步維艱，華爲自主研發 AI 處理器的計劃也舉步維艱。

這些困難不僅阻礙了華爲在消費電子市場的競爭力（華爲必須與蘋果等競爭對手對抗），也阻礙了中國在 AI 時代發展半導體自給自足並與美國保持同步的努力。蘋果的 iPhone 智能手機經常使用臺積電的最新產品，2024 年的 iPhone 則依賴通過 3 納米工藝技術系列製造的芯片。