《半導體》與頎邦策略合作 聯電開低

聯電近年積極投入開發化合物半導體氮化鎵(GaN)功率元件與射頻元件製程開發，鎖定市場商機爲高效能電源功率元件及5G射頻元件。頎邦在電源功率元件及射頻元件封測市場經營多年，包括覆晶凸塊(Bumping)、厚銅重佈線(RDL)及晶圓級晶片尺寸(WLCSP)封測，適用晶圓材質除了矽(Si)外，也已經開始量產於砷化鉀(GaAs)、碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等化合物晶圓上。頎邦也正在致力開發復晶系統級(FCSiP)、扇出型系統級(FOSiP)等先進封裝技術。聯電、頎邦分居產業供應鏈之上下游，兩家公司將在這些市場區塊通力合作。

基於雙方多年來已在驅動IC的領域密切聯繫合作，雙方董事會決議以換股方式，相互取得對方股權，更進一步強化雙方長期策略合作關係。

三方同意依公司法第156條之3之規定進行股份交換，由頎邦增資發行普通股新股67,152,322股作爲對價，以受讓聯電增資發行之普通股新股61,107,841股及宏誠創投所持有之聯電已發行普通股16,078,737股。換股比例爲聯電每1股換髮頎邦0.87股。

預計換股交易完成後，聯電及子公司宏誠創投將共同持有頎邦約9.09%股權，頎邦則將持有聯電約0.62%股權。

聯電錶示，面對半導體技術日趨精進，基於產業趨勢及市場共同性，聯電除了研發自有晶圓代工技術，也與策略夥伴攜手合作，結合雙方技術優勢，整合上下游供應鏈資源，提供客戶先進的製程技術方案及更完整的全方位服務。

聯電上週五在三大法人持續買超推升下，股價開高走高，終場收在70元，創新高價，市值攀高至8696億元，一舉超越中華電及富邦金，躍居臺股第5。