安森美推出第7代IGBT模塊

6月12日，安森美宣佈，最新發布第7代1200V QDual3絕緣柵雙極晶體管（IGBT）功率模塊，與其他同類產品相比，該模塊的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。據介紹，利用QDual3模塊，製造商可以在相同系統尺寸下，設計出發電和蓄電能力更強的太陽能逆變器和儲能系統。