8.3億美元！英飛凌成功收購氮化鎵系統公司【附氮化鎵行業分析】

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據英飛凌官微消息，英飛凌科技於2023年10月24日宣佈完成收購氮化鎵系統公司(GaN Systems)。這家總部位於加拿大渥太華的公司，爲英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。交易結束後，GaN Systems已正式成爲英飛凌的組成部分。

今年3月2日，英飛凌和GaN Systems聯合宣佈，雙方簽署最終協議。根據該協議，英飛凌將斥資8.3億美元收購GaN Systems。這筆“全現金”收購交易是使用現有的流動資金來完成的。

英飛凌科技首席執行官Jochen Hanebeck表示，收購GaN Systems將顯著推進公司氮化鎵技術路線圖，並讓我們同時擁有所有主要的功率半導體技術，進一步增強英飛凌在功率系統領域的領導地位。

隨着5G技術的普及和應用，氮化鎵在射頻器件、光電子器件等領域的需求不斷增加。氮化鎵器件具有高頻率、高功率、低損耗等優點，被廣泛應用於無線通信、汽車電子、工業自動化等領域。同時，氮化鎵材料的價格也在逐漸下降，使得其在市場上更具競爭力。

——氮化鎵定義

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，爲3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下，產生紫光(405nm)激光。

氮化鎵是第三代半導體的一種。第三代半導體主要包括碳化硅(SiC)、氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)、金剛石、氧化鋅(ZnO)，其中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)並稱爲第三代半導體材料的“雙雄”，是第三代半導體材料的典型代表。

——全球氮化鎵行業處於起步階段

氮化鎵半導體能夠承受比硅半導體更強的電流和更高的電壓。這些優勢導致了在下一代功率半導體器件中使用的氮化鎵的密集研發，用於車輛和其他用途。但是從材料的滲透率來看，根據Yole及中國電子技術標準化研究院統計數據，當前半導體材料中，硅Si的滲透率仍然最高並佔據絕對重要地位，2020年Si的滲透率約爲97.85%，氮化鎵GaN的滲透率僅爲0.17%，處於起步階段。但從未來發展趨勢來看，氮化鎵的滲透率將會持續上升。

——氮化鎵市場規模快速增長

氮化鎵長期以來生產LED和RF組件中使用，但目前正向着主流接受在越來越多的功率開關和轉換應用。在這裡，基於GaN的IC可以滿足提高系統性能和效率、節省空間和在更高溫度下可靠運行的需求。從全球氮化鎵(GaN)市場規模變化來看，根據Market and Market的數據統計，2018-2020年全球氮化鎵器件市場規模逐漸擴大，2020年全球氮化鎵器件市場規模達到了184億美元，同比增長28.67%。

——光電氮化鎵器件爲主要產品類型

目前全球氮化鎵器件的主要分類爲光電氮化鎵器件、射頻氮化鎵器件和功率氮化鎵器件。從細分市場的角度來看，全球光電氮化鎵器件的市場應用程度最高，佔比達到65.22%;其次是射頻氮化鎵器件，市場佔比約爲29.89%;而功率氮化鎵器件的市場規模則佔比最小，僅爲4.89%。

前瞻產業研究院分析認爲，在市場前景方面，氮化鎵是研製微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，在光電子、激光器、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有着廣闊的前景。隨着各個國家對第三代半導體材料的重視，氮化鎵半導體材料市場發展迅速。參考Market and Market 、Yole等機構的增長幅度測算，預計到2026年全球氮化鎵元件市場規模將增長到423億美元，年均複合增長率約爲13.5%。

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更多本行業研究分析詳見前瞻產業研究院《中國氮化鎵（GaN）行業市場前瞻與投資戰略規劃分析報告》。

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